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Si1022R
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
1.0
V GS = 10 V thru 7 V
6 V
1200
T J = - 55 °C
0. 8
5 V
900
25 °C
0.6
125 °C
600
0.4
4 V
300
0.2
3 V
0.0
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
4.0
3.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
V GS = 0 V
f = 1 MHz
40
3.0
2.5
30
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
20
10
0
C rss
C iss
C oss
0
200
400
600
8 00
1000
0
5
10
15
20
25
7
I D - Drain C u rrent (mA)
On-Resistance vs. Drain Current
2.0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
6
V DS = 10 V
I D = 250 mA
1.6
V GS = 10 V at 500 mA
5
4
3
1.2
0. 8
V GS = 4.5 V
at 200 mA
2
0.4
1
0
0.0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 71331
S10-2687-Rev. F, 22-Nov-10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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